NTMFS5H414NLT1G
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | NTMFS5H414NLT1G |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 40V 35A/210A 5DFN |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $2.65 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 20A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3.1W (Ta), 110W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4550 pF @ 20 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 35A (Ta), 210A (Tc) |
Grundproduktnummer | NTMFS5 |
NTMFS5H414NLT1G Einzelheiten PDF [English] | NTMFS5H414NLT1G PDF - EN.pdf |
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2024/08/24
2024/08/25
2023/12/20
2024/05/28
NTMFS5H414NLT1Gonsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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